- 負電容 （NC） 主要用于降低電子設備的功耗并實現超低功耗納米電子學。通過利用鐵電材料的獨特性能，NC 可用于克服傳統晶體管的局限性，并有可能帶來更節能的電子設備，從傳感器到高頻、高功率氮化鎵 （GaN） HEMT。正常電容是存儲與施加電壓成比例的電荷的能力。當電荷的變化發生在與施加電壓變化相反的方向時，這就是 NC。NC 主要存在于某些鐵電材料中，有時稱為鐵電負電容。這些鐵電體在其轉變溫度以下表現出雙自由能特性（圖1a）。當繪制材料中的極化 （P） 與電場 （E） 時，這會導致“S”形曲線（圖 1b）。
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負電容 功耗
- 現代車輛采用越來越多的射頻 （RF） 技術，以滿足客戶對性能和功能的期望。然而，滿足這些要求只會增加整體設計的復雜性，并帶來與認證和認證相關的挑戰。考慮到多種無線電技術的同時運行需要在開發過程中采取特殊的干擾預防措施，以及廣泛的車輛測試以確保服務可用性和高質量的用戶體驗，這種設計挑戰只會增加。為了克服這些障礙，設計人員正在轉向低功耗藍牙 （LE）。它作為減少車輛中射頻技術數量的解決方案越來越受歡迎，并且可能會擴展到鑰匙扣、胎壓監測系統 （TPMS） 和數字鑰匙系統。由于低功耗藍牙軟件堆棧提供特定的優化配置
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低功耗藍牙 汽車射頻器件 功耗 TPMS 數字鑰匙
- 人工智能數據中心的能源消耗速度大約是電網新增電力速度的四倍，這為發電地點、人工智能數據中心的建設地點以及更高效的系統、芯片和軟件架構的根本轉變奠定了基礎。對于美國和中國來說，這些數字尤其引人注目，它們正在競相擴大人工智能數據中心。美國能源部委托編寫的一份 2024 年報告顯示，去年，美國數據中心消耗了約 4.4% 的總發電量，約合 176 太瓦時。預計到 2028 年，這一數字將增加到 325 至 580 太瓦時，分別占美國所有發電量的 6.7% 至 12%。圖 1：2014 年至 2028 年總發電量與
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- 多年來，處理器在專注于性能的同時幾乎沒有對其他任何東西負責。但現在，性能雖然還是很重要的參考指標，但處理器還必須對功耗負責。
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- 5多年來，在摩爾定律似乎不可避免的推動下，工程師們設法每兩年將他們可以封裝到同一區域中的晶體管數量增加一倍。但是，當該行業追求邏輯密度時，一個不需要的副作用變得更加突出：熱量。在當今的 CPU 和 GPU 等片上系統 （SoC） 中，溫度會影響性能、功耗和能效。隨著時間的推移，過多的熱量會減慢關鍵信號在處理器中的傳播，并導致芯片性能的永久下降。它還會導致晶體管泄漏更多電流，從而浪費功率。反過來，增加的功耗會削弱芯片的能源效率，因為執行完全相同的任務需要越來
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- 4 月 14 日消息，英特爾核心設計團隊高級首席工程師 Ori Lempel 在接受外媒 KitGuru 采訪上表示，該企業在酷睿 Ultra 2000 系列客戶端處理器中取消性能核（P Core）的超線程，與無超線程設計更優秀的同功耗面積下表現密切相關。Ori
Lempel 表示，根據經驗估算數據，相較硬件上支持超線程 / 同步多線程 (SMT) 但關閉這一功能的核心，開啟超線程能提升 30% 的
IPC 但會增加 20% 的功耗，而硬件設計上不支持超線程的核心能在相同 IPC 下降低 15%
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- 作為人工智能的一個子集，邊緣智能專注于在數據產生的位置（即網絡的“邊緣”）進行數據處理和分析，邊緣智能的優勢在于它能夠提供低延遲、高可靠性的數據處理，同時由于減少了數據在網絡中的傳輸，可有效保護數據隱私。此外，邊緣智能可以在沒有網絡連接或網絡不穩定的情況下工作，這對于某些應用場景至關重要。芯原微電子（上海）股份有限公司（簡稱“芯原股份”或“芯原”）執行副總裁、業務運營部總經理汪洋認為，相比于大模型等人工智能應用，邊緣智能的應用場景主要集中在對實時性、安全性和隱私性要求較高的領域，除了如手機、電腦等個人消費
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- 當CMOS反相器切換邏輯狀態時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態，當反相器從一種邏輯狀態變為另一種時發生。靜態，由穩態運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態和靜態功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發展是技術史上的一個轉折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統的電氣特性。CMOS的一個優點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個理想的功能，當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時，這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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CMOS，反相器，功耗
- 問：了解運算放大器電路中的功耗設計為了了解運算放大器電路中的功耗問題，我們首先明白具有低靜態電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網絡電阻值與功耗之間的關系。讓我們首先考慮一個可能需要關注功率的示例電路：電池供電的傳感器在 1kHz時生成 50mV 幅度和 50mV 偏移的模擬正弦信號。信號需要放大到 0V 至 3V 的范圍以進行信號調節（圖 1），同時要盡可能節省電池電量，這將需要增益為 30V/V 的同相放大器配置， 如圖 2 所示。那么，我們應該如何來優化該電路的功耗呢？圖 1 : 示例電路中的輸入及輸
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- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經在 16 個數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
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- 本文是磁滯系列文章的第二篇，解釋了工程系統中發現的兩種磁滯類型。在前一篇文章中，我介紹了磁滯的概念，并解釋了磁滯系統的輸出如何依賴于輸入的當前狀態和系統的歷史。在這篇文章中，我想提供一個更完整的理論圖片，通過檢查率依賴和率無關磁滯之間的差異。我們還將研究磁滯和功耗之間的關系。磁滯和延遲之前，我引用了磁滯的四個定義。我們當時討論了其中兩個，現在我們將討論另外兩個：“由于產生效應的機制發生變化而引起的觀察效應變化的磁滯”，《牛津電子與電氣工程詞典》。“由于摩擦等阻力導致的預期值的磁滯效應”—牛津化學工程詞典。
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- 本文介紹如何使用 100 mA高速同步單芯片降壓型切換穩壓器取代LDO穩壓器，為電流回路發送器設計精巧型電源。文中評估其性能，并選擇符合嚴格的工業標準的組件。并提供效率、啟動和漣波測試數據。自動化控制在工業和消費類應用中越來越普遍，但即使是一流的自動化解決方案，也要依賴一種古老的技術：電流回路。電流回路是控制回路中普遍存在的組件，可以雙向工作：其將測量結果從傳感器傳遞至可編程邏輯控制器（PLC），反之，也可將控制輸出從PLC傳遞給制程調變裝置。4 mA至20 mA的電流回路是透過雙絞線將數據從遠程傳感器準
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- 據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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- 在多路復用(muxed)逐次逼近寄存器模數轉換器(SAR ADC)應用中，一般會有尺寸和功耗限制，這通常取決于每通道模擬信號鏈的設計選擇。本文說明為什么采用模擬輸入高阻（高阻抗）技術的多路復用SAR ADC是在不影響性能和精度的情況下大幅減小解決方案尺寸和降低功耗的關鍵。多路復用SAR ADC通常用于需要不斷監測系統中多個關鍵變量的應用。在光通信應用中，可以通過光功率測量監測激光偏壓，而在VSM應用中可以監測來自電極的EEG/ECG信號。這些多路復用應用有一些共同的要求：●有很多通道需要監測。一般來說，A
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